intel 22nm，15nm的工艺技术前瞻，发展的好快。

zyszz · 发表于 2010-9-17 10:48

　半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小，传统的平面型晶体管还能满足要求吗?有关这个问题，业界已经讨论了很久。现在，决定半导体制造技术发展方向的历史拐点即将到来，尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有各自不同的风格和路线，但双方均已表态称在15nm级别制程启用全耗尽型晶体管(FD:Fully Depleted)技术几乎已成定局，同时他们也都已经在认真考虑下一步要不要将垂直型晶体管(即立体结构晶体管)制造技术如三门晶体管，finFET等投入实用。

据Intel的制程技术经理Mark Bohr表示，Intel 对部分耗尽型(PD

artliy Depleted)CMOS技术能否继续沿用到15nm制程节点感到“非常悲观”。但他同时表示，虽然只有SOI技术才可以在保留传统平面晶体管结构的条件下应用FD技术;但是体硅制程也并非无可救药，采用三门或者FinFET等立体晶体管结构技术，便可以在体硅或者SOI上满足关键尺寸进一步缩小的需求，一样也可以制造出FD MOSFET。

Gartner的分析师Dean Freeman则表示，目前半导体业界所面临的情况与1980年代非常类似，当时业界为了摆脱面临的发展瓶颈，开始逐步采用CMOS技术来制造内存和逻辑芯片，从而开创了半导体业界的新纪元。

　　据Intel表示，在下一代22nm制程产品中，他们仍将继续采用传统基于体硅的平面型晶体管结构(此前曾有传言称 Intel会在22nm制程中转向立体结构的三门晶体管技术)，他们计划于2011年底正式推出22nm制程技术。而在今年的9月份，Intel已经展示过一款采用22nm制程技术制造的SRAM芯片，这种芯片的存储密度为364Mb，内含29亿个晶体管，并且采用了Intel第三代gate-last HKMG制程技术，门极绝缘层和金属栅极的主要部分在制造工序的最后几个工步制造成型，避开前面的高温退火工步(45/32nm中使用的前代技术则只有金属栅极才在最后几个工步制造成型)。

　　至于15nm制程节点，Bohr表示，Intel目前正在考虑在15nm制程节点上要采用哪些新的制程技术以满足要求，他认为：“全耗尽技术对降低芯片的功耗非常有效。”不过 Intel目前也在考虑除此之外的多种可行性方案，比如是转向三门晶体管技术(三门技术其实与IBM的双门finFET同属finFET型晶体管，但由于对手将其双门技术命名为finFET，因此Intel便根据自己的finFET技术特点将其命名为三门技术)，或者是转向全耗尽+平面型晶体管技术等等。据Bohr表示，Intel会在六个月之内就15nm制程节点将采用哪一种新技术做出决定。