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5月29日,半导体巨头Intel和Micron发表了使用34nm工艺制造,32Gbit容量的NAND闪存。闪存样本预定于6月开始出货,2008年后半年在两公司的合资公司IM Flash Technologies开始量产。 这次发表的NAND闪存是业界首款采用34nm工艺制造的闪存,采用MLC技术,单片的容量达到32Gbit。根据Intel的官方声明,利用新的闪存芯片,该公司将拓宽其闪存制品的产品线。其中,Intel似乎已经把容量为256GB以上的1.8英寸SSD放进其视野内了。
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