AMD携手IBM 新技术扫除22nm工艺障碍

beiping2006 · 发表于 2009-6-17 18:27

AMD芯片制造厂Globalfoundries公布了一项创新技术，这项技术将能够解决当前HKMG（high-k metal gate）晶体管所面临的一个关键性技术障碍。此项新技术将可以为下一代移动设备带来更强劲的处理性能和更长的电池驱动时间。
在日本东京举行的2009 Symposium on VLSI大会上，Globalfoundries对外展示了首个能够将high-k metal gate (HKMG)晶体管内的equivalent oxide thickness (EOT)按比例缩小从而满足22nm工艺需求，同时依然能够保持低漏电、极低电压以及超便携性的新技术。根据介绍，这项新的技术是由Globalfoundries与IBM共同开发完成，新技术将能够让半异体产品继续冲击22nm及更先进的生产工艺。
　　为了保证HKMG晶体管切换的精度，high-k氧化层的EOT必须减少。不过减少EOT则会带来漏电的增加，而这也会导致微处理器功耗的增强。Globalfoundries与IBM新开发的这项技术则可以解决这个障碍，从展示的内容来看这项技术首次实现了通过EOT缩减冲击22nm工艺的同时依然能够保持一定的漏电、超低的电压以及产品的便携性。
　　Globalfoundries的技术研发高级副总裁Gregg Bartlett表示：“HKMG将会是Globalfoundries技术路图上的关键技术。这项成就最终会为用户带来增强产品的工具，特别是在高速成长的超轻薄笔记本电脑和智能手机产品上将会带来更长的电池使用时间。此次与IBM以及联盟的合作，我们通过全局的知识带来的先进技术将会让我们的客户获得半导体界领先的尖端技术。”