美光/南亚科技成功生产42nm 2Gbit DDR3内存芯片

显示全部楼层 · 发表于 2010-2-11 09:10

据海外媒体报道，台湾南亚科技和美国美光科技近日宣布，两公司成功以42nm铜基工艺制造出单片2Gbit 的DDR3内存芯片。该芯片的样本将于2010年度第二季度出货，预计在2010年下半年开始量产。

新产品的工作电压从一般的1.5V降低到1.35V，据说最多可降低30％的功耗。而且，该芯片能实现最大1,866 Mbps的传输速度，使用该芯片可制造单片容量16GB的内存模块。

两家公司表示，他们将致力开发新一代技术，实现30nm的铜基工艺技术。