饺子皮儿 发表于 2010-2-11 09:10

美光/南亚科技成功生产42nm 2Gbit DDR3内存芯片

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    据海外媒体报道，台湾南亚科技和美国美光科技近日宣布，两公司成功以42nm铜基工艺制造出单片2Gbit 的DDR3内存芯片。该芯片的样本将于2010年度第二季度出货，预计在2010年下半年开始量产。

    新产品的工作电压从一般的1.5V降低到1.35V，据说最多可降低30％的功耗。而且，该芯片能实现最大1,866 Mbps的传输速度，使用该芯片可制造单片容量16GB的内存模块。

    两家公司表示，他们将致力开发新一代技术，实现30nm的铜基工艺技术。

无名蝙蝠 发表于 2010-2-11 09:52

16GB内存很强大啊

tz145 发表于 2010-2-16 14:04

8错，不过要普及还很早吧

ospace 发表于 2010-2-17 09:27

我不懂！！！但是支持一下
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